"La innovación fue propuesta por el profesor (...) Alexandr Gudovskij", indicó la universidad en un comunicado.
La tecnología está basada en los sustratos de silicio crecidos con una combinación de técnicas, entre ellas la epitaxia híbrida, explica la entidad.
Gudovskij precisó que los procesos actuales requieren temperaturas muy altas (900-1.000 ºC).
"La nueva tecnología reduce la temperatura del crecimiento epitaxial de sulfuro de galio sobre un sustrato de silicio hasta 600-750 ºC", apuntó el autor de la innovación.
Los resultados de la investigación fueron publicados en la revista Physica Status Solidi (A) Applications and Materials.